1.A Study on Modified Silicon Surface after $CHF_3/C_2F_6$ Reactive Ion Etching

作　　者：Park, Hyung-Ho ;Kwon, Kwang-Ho ;Lee, Sang-Hwan 等

出　　处：ETRI Journal. 1994 ;16(1):45-45.

出版社：Electronics and Telecommunications Research Institute

文章 ID：114422025

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2.FTIR의 원리 및 반도체 소재 특성 연구에의 응용

作　　者：Jeong, Seong-Hwa ;Kim, Sang-Gi ;Kwon, Oh-Joon

出　　处：ETRI Journal. 1992 ;14(1):126-135.

出版社：Electronics and Telecommunications Research Institute

文章 ID：114422083

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3.푸리에 변환 적외선 분광분석에 의한 에피층의 두께 측정 기술

作　　者：Jeong, Seong-Hwa ;Kim, Sang-Gi ;Kwon, Oh-Joon

出　　处：ETRI Journal. 1991 ;13(2):54-61.

出版社：Electronics and Telecommunications Research Institute

文章 ID：114422111

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4.RTA에 의한 $As^+$ 이온주입된 비정질층의 재결정화 연구

作　　者：Kim, Sang-Gi ;Koak, Byung-Hwa ;Lee, Sang-Hwan 等

出　　处：ETRI Journal. 1991 ;13(2):62-69.

出版社：Electronics and Telecommunications Research Institute

文章 ID：114422112

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5.엘립소메츠리에 의한 이온주입 실리콘층의 특성연구

作　　者：Kim, Sang-Ki ;Lee, Sang-Hwan ;Lee, Won-Hyong 等

出　　处：ETRI Journal. 1988 ;10(4):140-145.

出版社：Electronics and Telecommunications Research Institute

文章 ID：114422164

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6.반도체시료의 TEM 박편제작기술에 대한 연구

作　　者：Baek, Mun-Cheol ;Cha, Joo-Yeon ;Cho, Kyung-Ik 等

出　　处：ETRI Journal. 1988 ;10(3):212-220.

出版社：Electronics and Telecommunications Research Institute

文章 ID：114422188

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7.반도체기술 개발을 위한 XPS의 이용

作　　者：Yun, Seon-Jin ;Park, Seong-Ju ;Kwon, Oh-Joon

出　　处：ETRI Journal. 1988 ;10(3):230-241.

出版社：Electronics and Telecommunications Research Institute

文章 ID：114422190

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	Baek, Mun-Cheol	1篇
	Cha, Joo-Yeon	1篇
	Cho, Kyoung-Ik	1篇
	Cho, Kyung-Ik	1篇
	Jhung, Sung-Hwa	1篇
	Kang, Young-Il	1篇
	Kim, Sang-Ki	1篇
	Koak, Byong-Hwa	1篇
	Kwon, Kwang-Ho	1篇
	Lee, Hee-Tae	1篇
	Lee, Won-Hyong	1篇
	Nahm, Sahn	1篇
	Park, Hyung-Ho	1篇
	Park, Seong-Ju	1篇
	Yun, Seon-Jin	1篇

	应用物理学	7篇
	电信	7篇

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	Kwon, Oh-Joon	7篇
	Kim, Sang-Gi	3篇
	Lee, Sang-Hwan	3篇
	Jeong, Seong-Hwa	2篇
	Koak, Byung-Hwa	2篇

	1994	1篇
	1992	1篇
	1991	2篇
	1988	3篇