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1篇

出版年度

2008

1篇

作者

	Kim, Sang-Bae	1篇
	Kim, Sang-In	1篇
	Kim, Tae-Ki	1篇
	Kim, Tae-Yong	1篇

来源期刊

ETRI Journal

1篇

学科主题

	应用物理学	1篇
	电信	1篇

语种

英文

1篇

国别/地区

韩国

1篇

检索条件:"( ( 高级检索(( ((AU:(("Kim, Sang-In")))) )) ) )"

共 1 条记录

排序：全选导出：

1.Degradation Behavior of 850 nm AlGaAs/GaAs Oxide VCSELs Suffered from Electrostatic Discharge

作　　者：Kim, Tae-Yong ;Kim, Tae-Ki ;Kim, Sang-In 等

出　　处：ETRI Journal. 2008 ;30(6):833-843.

出版社：Electronics and Telecommunications Research Institute

文章 ID：114421173

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