1.Coincident-site lattice matching during van der Waals epitaxy

作　　者：Jos E. Boschker ;Lauren A. Galves ;Timur Flissikowski 等

出　　处：Scientific Reports. 2015 ;5.doi:10.1038/srep18079

出版社：Springer Nature

文章 ID：146912977

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2.Electrical and optical properties of epitaxial binary and ternary GeTe-Sb2Te3 alloys

作　　者：Jos E. Boschker ;Xiang Lü ;Valeria Bragaglia 等

出　　处：Scientific Reports. 2018 ;8(1):5889.doi:10.1038/s41598-018-23221-9

出版社：Springer Nature

文章 ID：230250560

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3.Author Correction: Modulation of van der Waals and classical epitaxy induced by strain at the Si step edges in GeSbTe alloys

作　　者：Eugenio Zallo ;Stefano Cecchi ;Jos E. Boschker 等

出　　处：Scientific Reports. 2018 ;8(1):5015.doi:10.1038/s41598-018-23156-1

出版社：Springer Nature

文章 ID：230251692

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4.Modulation of van der Waals and classical epitaxy induced by strain at the Si step edges in GeSbTe alloys

作　　者：Eugenio Zallo ;Stefano Cecchi ;Jos E. Boschker 等

出　　处：Scientific Reports. 2017 ;7(1).doi:10.1038/s41598-017-01502-z

出版社：Springer Nature

文章 ID：235884940

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5.Coincident-site lattice matching during van der Waals epitaxy

作　　者：Jos E. Boschker ;Lauren A. Galves ;Timur Flissikowski 等

出　　处：Scientific Reports. 2016 ;5(1).doi:10.1038/srep18079

出版社：Springer Nature

文章 ID：235837724

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	Jos E. Boschker	5篇
	Raffaella Calarco	5篇
	Antonio M. Mio	2篇
	Eugenio Zallo	2篇
	Fabrizio Arciprete	2篇

	Henning Riechert	2篇
	Joao Marcelo J. Lopes	2篇
	Lauren A. Galves	2篇
	Stefania Privitera	2篇
	Stefano Cecchi	2篇
	Timur Flissikowski	2篇
	Holger T. Grahn	1篇
	Ruining Wang	1篇
	Valeria Bragaglia	1篇
	Xiang Lü	1篇

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