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	有本地全文	2篇
	有全文链接	1篇

出版年度

	1989	1篇
	1988	2篇

作者

	Yun, Seon-Jin	3篇
	Gwon, O-Jun	1篇
	Jang, Sang-Hwan	1篇
	Kwon, Oh-Joon	1篇
	Park, Seong-Ju	1篇

Park, Sin-Jong

1篇

来源期刊

ETRI Journal

3篇

学科主题

	应用物理学	3篇
	电信	3篇

语种

英文

3篇

国别/地区

韩国

3篇

检索条件:"( ( 高级检索(( ((AU:(("Yun, Seon-Jin")))) )) ) )"

共 3 条记录

排序：全选导出：

1.$C_2F_6$/$CHF_3$ 반응성이온 건식식각 공정시 실리콘 표면에 생성된 잔류막과 표면구조의 연구

作　　者：Yun, Seon-Jin ;Jang, Sang-Hwan ;Gwon, O-Jun

出　　处：ETRI Journal. 1989 ;11(1):89-96.

出版社：Electronics and Telecommunications Research Institute

文章 ID：114422160

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2.반도체기술 개발을 위한 XPS의 이용

作　　者：Yun, Seon-Jin ;Park, Seong-Ju ;Kwon, Oh-Joon

出　　处：ETRI Journal. 1988 ;10(3):230-241.

出版社：Electronics and Telecommunications Research Institute

文章 ID：114422190

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3.소재 및 표면 분석기술을 이용한 산화물 초전도재료의 특성연구

作　　者：Yun, Seon-Jin ;Park, Sin-Jong

出　　处：ETRI Journal. 1988 ;10(1):85-96.

出版社：Electronics and Telecommunications Research Institute

文章 ID：114422219

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