首页期刊浏览 2025年03月02日星期日

登录注册

全文

有本地全文

2篇

出版年度

	2017	1篇
	2016	1篇

作者

	Kah-Wee Ang	2篇
	Xinke Liu	2篇
	Xuewei Feng	2篇
	Zhubing He	2篇
	Cequn Li	1篇

	Dan Tang	1篇
	Deliang Zhu	1篇
	Dongzhi Chi	1篇
	He Jiang	1篇
	Jiao Wen	1篇
	Jiazhu He	1篇
	Jing Wu	1篇
	Peijiang Cao	1篇
	Pengkun Xia	1篇
	Qiang Liu	1篇
	Rui Jie Ng	1篇
	Shijie Wang	1篇
	Shun Han	1篇
	Wenjie Yu	1篇
	Wenjun Liu	1篇
	Xi Wang	1篇
	Youming Lu	1篇

来源期刊

Scientific Reports

2篇

学科主题

自然科学总论

2篇

语种

英文

2篇

国别/地区

英国

2篇

检索条件:"( ( 高级检索(( ((AU:(("Xuewei Feng")))) )) ) )"

共 2 条记录

排序：全选导出：

1.Impact and Origin of Interface States in MOS Capacitor with Monolayer MoS2 and HfO2 High-k Dielectric

作　　者：Pengkun Xia ;Xuewei Feng ;Rui Jie Ng 等

出　　处：Scientific Reports. 2017 ;7(1).doi:10.1038/srep40669

出版社：Springer Nature

文章 ID：235897382

文章详细全文下载
2.Black Phosphorus Based Field Effect Transistors with Simultaneously Achieved Near Ideal Subthreshold Swing and High Hole Mobility at Room Temperature

作　　者：Xinke Liu ;Kah-Wee Ang ;Wenjie Yu 等

出　　处：Scientific Reports. 2016 ;6(1).doi:10.1038/srep24920

出版社：Springer Nature

文章 ID：235857681

文章详细全文下载

1

电话：010-85195300

E-mail：[email protected]

地址：中国北京建国门内大街5号中国社会科学院1#楼

扫一扫关注微信

联系我们|关于我们|网站声明

国家哲学社会科学文献中心版权所有