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1篇

出版年度

1994

1篇

作者

	Lee, El-Hang	1篇
	Park, Seong-Ju	1篇
	Ro, Jeong-Rae	1篇
	Sim, Jae-Ki	1篇

来源期刊

ETRI Journal

1篇

学科主题

	应用物理学	1篇
	电信	1篇

语种

英文

1篇

国别/地区

韩国

1篇

检索条件:"( ( 高级检索(( ((AU:(("Sim, Jae-Ki")))) )) ) )"

共 1 条记录

排序：全选导出：

1.Growth of GaAs by Chemical Beam Epitaxy Using Unprecracked Arsine and Trimethylgallium

作　　者：Park, Seong-Ju ;Ro, Jeong-Rae ;Sim, Jae-Ki 等

出　　处：ETRI Journal. 1994 ;16(3):1-1.

出版社：Electronics and Telecommunications Research Institute

文章 ID：114422016

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