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2篇

出版年度

	2003	1篇
	1991	1篇

作者

	Cho, Kyoung-Ik	2篇
	Shim, Kyu-Hwan	2篇
	Cho, Lack-Hie	1篇
	Choi, Young-Kyu	1篇
	Kang, Jin-Yeong	1篇

	Kang, Jin-Young	1篇
	Lee, Jin-Hee	1篇
	Lee, Keong-Ho	1篇
	Lee, Yong-Tak	1篇
	Park, Chul-Soon	1篇
	Song, Young-Joo	1篇
	Yang, Jeon-Uk	1篇

来源期刊

ETRI Journal

2篇

学科主题

	应用物理学	2篇
	电信	2篇

语种

英文

2篇

国别/地区

韩国

2篇

检索条件:"( ( 高级检索(( ((AU:(("Shim, Kyu-Hwan")))) )) ) )"

共 2 条记录

排序：全选导出：

1.DC and RF Characteristics of $Si_{0.8}Ge_{0.2}$ pMOSFETs: Enhanced Operation Speed and Low 1/f Noise

作　　者：Song, Young-Joo ;Shim, Kyu-Hwan ;Kang, Jin-Young 等

出　　处：ETRI Journal. 2003 ;25(3):203-203.

出版社：Electronics and Telecommunications Research Institute

文章 ID：114421786

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2.고집적 GaAs 디지틀 집접회로 제작을 위한 Self-aligned MESFET 공정

作　　者：Yang, Jeon-Uk ;Shim, Kyu-Hwan ;Choi, Young-Kyu 等

出　　处：ETRI Journal. 1991 ;13(4):35-41.

出版社：Electronics and Telecommunications Research Institute

文章 ID：114422095

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1

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