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1篇

出版年度

2017

1篇

作者

	Cequn Li	1篇
	Dongzhi Chi	1篇
	Kah-Wee Ang	1篇
	Pengkun Xia	1篇
	Rui Jie Ng	1篇

	Shijie Wang	1篇
	Xinke Liu	1篇
	Xuewei Feng	1篇
	Zhubing He	1篇

来源期刊

Scientific Reports

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学科主题

自然科学总论

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语种

英文

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国别/地区

英国

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共 1 条记录

排序：全选导出：

1.Impact and Origin of Interface States in MOS Capacitor with Monolayer MoS2 and HfO2 High-k Dielectric

作　　者：Pengkun Xia ;Xuewei Feng ;Rui Jie Ng 等

出　　处：Scientific Reports. 2017 ;7(1).doi:10.1038/srep40669

出版社：Springer Nature

文章 ID：235897382

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