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1篇

出版年度

2018

1篇

作者

	Atsushi Hiraiwa	1篇
	Hiroshi Kawarada	1篇
	Ikuto Tsuyuzaki	1篇
	Masafumi Inaba	1篇
	Nobutaka Oi	1篇

	Satoshi Okubo	1篇
	Shinobu Onoda	1篇
	Taisuke Kageura	1篇

来源期刊

Scientific Reports

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学科主题

自然科学总论

1篇

语种

英文

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国别/地区

英国

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共 1 条记录

排序：全选导出：

1.Vertical-type two-dimensional hole gas diamond metal oxide semiconductor field-effect transistors

作　　者：Nobutaka Oi ;Masafumi Inaba ;Satoshi Okubo 等

出　　处：Scientific Reports. 2018 ;8(1):10660.doi:10.1038/s41598-018-28837-5

出版社：Springer Nature

文章 ID：230245833

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