1.Free and bound excitonic effects in Al_0.5Ga_0.5N/Al_0.35Ga_0.65N MQWs with different Si-doping levels in the well layers

作　　者：Chenguang He ;Zhixin Qin ;Fujun Xu 等

出　　处：Scientific Reports. 2015 ;5.doi:10.1038/srep13046

出版社：Springer Nature

文章 ID：113409032

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2.High quality AlN epilayers grown on nitrided sapphire by metal organic chemical vapor deposition

作　　者：Jiaming Wang ;Fujun Xu ;Chenguang He 等

出　　处：Scientific Reports. 2017 ;7(1).doi:10.1038/srep42747

出版社：Springer Nature

文章 ID：235903001

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3.Free and bound excitonic effects in Al0.5Ga0.5N/Al0.35Ga0.65N MQWs with different Si-doping levels in the well layers

作　　者：Chenguang He ;Zhixin Qin ;Fujun Xu 等

出　　处：Scientific Reports. 2015 ;5(1).doi:10.1038/srep13046

出版社：Springer Nature

文章 ID：235880964

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4.High-quality AlN epitaxy on nano-patterned sapphire substrates prepared by nano-imprint lithography

作　　者：Lisheng Zhang ;Fujun Xu ;Jiaming Wang 等

出　　处：Scientific Reports. 2016 ;6(1).doi:10.1038/srep35934

出版社：Springer Nature

文章 ID：235868160

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5.Mechanism of stress-driven composition evolution during hetero-epitaxy in a ternary AlGaN system

作　　者：Chenguang He ;Zhixin Qin ;Fujun Xu 等

出　　处：Scientific Reports. 2016 ;6(1).doi:10.1038/srep25124

出版社：Springer Nature

文章 ID：235858083

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6.Growth of high quality and uniformity AlGaN/GaN heterostructures on Si substrates using a single AlGaN layer with low Al composition

作　　者：Jianpeng Cheng ;Xuelin Yang ;Ling Sang 等

出　　处：Scientific Reports. 2016 ;6(1).doi:10.1038/srep23020

出版社：Springer Nature

文章 ID：235856763

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