文章基本信息

标题：High-pressure Gas Activation for Amorphous Indium-Gallium-Zinc-Oxide Thin-Film Transistors at 100 °C
本地全文：下载
作者：Won-Gi Kim ; Young Jun Tak ; Byung Du Ahn 等
期刊名称：Scientific Reports
电子版ISSN：2045-2322
出版年度：2016
卷号：6
期号：1
DOI：10.1038/srep23039
语种：English
出版社：Springer Nature