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2024年12月02日 星期一
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标题:
STM patterned nanowire measurements using photolithographically defined implants in Si(100)
本地全文:
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作者:
A. N. Ramanayaka
;
Hyun-Soo Kim
;
Ke Tang
等
期刊名称:
Scientific Reports
电子版ISSN:
2045-2322
出版年度:
2018
卷号:
8
期号:
1
页码:
1790
DOI:
10.1038/s41598-018-20042-8
语种:
English
出版社:
Springer Nature
摘要:
implanted areas at the ends of the wires. We present detailed results that optimize the spacing of neighboring wires while maintaining electrical isolation after heating to > 1200 °C, a step required for in situ Si surface preparation.
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