文章基本信息

标题：OBŢINEREA STRUCTURILOR n⁺SnO₂/nSi ŞI CERCETAREA PROPRIETĂŢILOR ACESTORA
本地全文：下载
作者：Eugenia BOBEICO ; Leonid BRUC ; Mihail CARAMAN 等
期刊名称：Studia Universitatis Moldaviae: Stiinte Sociale
印刷版ISSN：1814-3199
电子版ISSN：2345-1017
出版年度：2007
卷号：7
期号：7
页码：241-248
出版社：Moldova State University
摘要：Conversia fotovoltaică contemporană a energiei solare este asigurată de dispozitivele în baza corpuluisolid [1]. Celulele solare respective în cea mai mare parte funcţionează datorită proceselor fizice ce au loc înjoncţiunile p-n, obţinute în siliciu cristalin, policristalin sau în straturi de siliciu amorf. Generarea forţeielectromotrice la absorbţia luminii din cauza separării purtătorilor de sarcină de neechilibru poate fi realizatănu numai cu ajutorul joncţiunilor p-n, dar şi în baza structurilor semiconductor-izolator-semiconductor (SIS),folosind pentru fabricarea lor materialele semiconductoare solare (Si, InP, GaAs, CdTe) şi oxizii conductivişi transparenţi (TCO) [2-9]. Pentru formarea structurilor SIS cel mai frecvent se utilizează oxidul ITO, careprezintă amestecul oxizilor In2O3 şi SnO2 în proporţie de cca 10:1. Acest reprezentant al materialelor TCOposedă o conductivitate electrică metalică (103-104 Ohm-1cm-1) şi practic este absolut transparent (95%) pentruradiaţia solară ce se absoarbă în materialele semiconductoare nominalizate. Însă, în componenţa ITO se conţineîn majoritate indiu – element chimic ale cărui zăcăminte nu sunt cu precizie determinate, din care cauză estedestul de costisitor. În ultimul timp sunt efectuate încercări de înlocuire a straturilor subţiri ITO în structurileSIS cu straturile subţiri din SnO2, care sunt mai puţin costisitoare [10].