低閾電圧高輝度緑色直流エレクトロルミネッセンス (EL) 素子の試作を目的として, Al-ZnS : TbF3-ZnSe-ITO構造を形成した.この素子構造では, ZnS : TbF3発光層の結晶性を改善するために, エピタキシャル成長の下地層としてZnSe膜が用いられた.発光層の結晶性を改善することによって, 発光効率の向上のみならず, 動作電圧をも低減し得ることが判明した.0.3μmのZnS : TbF3と0.12μmのZnSeを用いて形成した素子において, 60Vの直流電圧のもとで0.16-0.2lm/Wの効率と400fLの輝度が得られた.