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标题：マイクロ波帯の半導体デバイス GaAsショットキーゲート電界効果トランジスタ
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作者：生駒俊明 ; 原和裕
期刊名称：映像情報メディア学会誌
印刷版ISSN：1342-6907
电子版ISSN：1881-6908
出版年度：1976
卷号：30
期号：8
页码：650-657
DOI：10.3169/itej1954.30.650
出版社：The Institute of Image Information and Television Engineers
摘要：
現在着実に発展し, 実用化されつつある, GaAs電界効果トランジスタの特性, 性能およびその応用について紹介した.GaAs電界効果トランジスタは, f _Tが80GHz以上のものが報告され, 10GHz帯以上のマイクロ波帯で使用可能な唯一の3端子能動デバイスである.低雑音であることが大きな特長で, 前置増幅器としてすぐれた特性をもつと同時に, 大電力化の研究も着実に進歩している.