ビジコン用前置増幅器の初段に用いた種々のFETのノイズ特性を測定し, その結果を示す.等価雑音抵抗は熱ノイズの理論値0.7/gmの2~10倍であり, gmが同じであれば, MOS形より接合形のほうが小さく, 25℃ではgmに反比例するのに対し, 77°Kではgmまたはドレイン電流に依存しない.接合形では, -100~-150℃に最適動作温度をもち, 25℃のSN比より3~5dB大きい.国産品を含めて数種が真空管と同程度のSN比を示し, 充分実用になる.